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Protonendotierung von Silizium: Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
Springer Vieweg
Johannes G Laven (auth.)
für
abbildung
silizium
haftstelle
silicon
mev
konzentration
phys
proben
wasserstoff
temperung
temperungen
donatoren
sowie
implantation
erzeugten
haftstellen
implantierten
über
abhängigkeit
hydrogen
vorliegenden
wasserstoffs
ladungsträgerprofile
protonendosis
ladungsträgerkonzentration
diffusion
protonen
einfluss
gleichung
während
deutlich
thermischen
µm
schicht
profile
experimentellen
können
autoren
wasserstoffdonatorenkomplexe
beziehungsweise
gemessenen
temperaturen
tiegelgezogenem
dlts
untersuchten
aufgrund
protonenimplantation
appl
tiefe
Año:
2014
Idioma:
german
Archivo:
PDF, 3.14 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
german, 2014
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